상세설명
- 세계최초 C-MOS 전용 I.C 채용
- 폭 넓은 사용전압(5-35 V d.c : 직류 3선식)
- 내노이즈 강화회로 외 특허 4건 (출원중)
- 2선식 근접 무극성 적용
- 금속면에 직접 설치 가능
- 검출거리 8mm, 두께 10.5mm 박형(Flat Type)
- 세계최초 C-MOS 전용 I.C 채용
- 폭 넓은 사용전압(5-35 V d.c : 직류 3선식)
- 내노이즈 강화회로 외 특허 4건 (출원중)
- 2선식 근접 무극성 적용
- 금속면에 직접 설치 가능
- 검출거리 8mm, 두께 10.5mm 박형(Flat Type)