에피택시는 Jenoptik에서 제공하는 전문 능력이 필요한 분야입니다. Al-Ga-In-As-P 재료 시스템의 Jenoptik 에피텍셜 웨이퍼에 기반한 장치는 수많은 제품에서 품질이 입증되었습니다. 레이저 제품 이외에, 당사는 얇은 반도체 계층 구조의 생산에서 사용자 지정 에피택셜 서비스를 제공합니다(즉, GaAs 웨이퍼의 에피택시 계층 구조). 고객의 사양에 따라 당사는 2", 3"및 4"웨이퍼 계층 구조에서 고품질 에피택셜 성장 기술을 사용한 에피택셜 웨이퍼를 제공합니다.

에피택셜 웨이퍼 생산

당사는 다음과 같은 최첨단 장치의 기초가 되는 광전자 구성품에 필요한 계층 구조에 대해 집중적으로 연구 개발합니다.

• 레이저 다이오드: 630 ? 1,200 nm 파장
• 표면 이미터(VCSEL 및 VECSEL)
• LED(RCLED 및 LED)
• 쇼트키 다이오드
• 검출기 구조

엄격한 품질 관리를 통해 모니터링하는 MOCVD / MOVPE 생산 공정은 공정의 처음부터 끝까지 지속적으로 높은 품질을 보장합니다.

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