상세설명
위치결정정밀도 | Centering 위치 정밀도 ±0.2mm 이내 | ||
---|---|---|---|
Notch 위치 정밀도 ±0.1° 이내 | |||
위치결정시간 | 5초 이내 | ||
반송대상 | Ф300mm silicon wafer 대응 | ||
클린도 | ISO 2등급 | ||
전원/압공/진공 | DC24V / 0.5Mpa / 30L / min 53kPa 이상 | ||
질량 | 7kg |
위치결정정밀도 | Centering 위치 정밀도 ±0.2mm 이내 | ||
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Notch 위치 정밀도 ±0.1° 이내 | |||
위치결정시간 | 5초 이내 | ||
반송대상 | Ф300mm silicon wafer 대응 | ||
클린도 | ISO 2등급 | ||
전원/압공/진공 | DC24V / 0.5Mpa / 30L / min 53kPa 이상 | ||
질량 | 7kg |