상세설명
| 위치결정정밀도 | Centering 위치 정밀도 ±0.2mm 이내 | ||
|---|---|---|---|
| Notch 위치 정밀도 ±0.1° 이내 | |||
| 위치결정시간 | 5초 이내 | ||
| 반송대상 | Ф300mm silicon wafer 대응 | ||
| 클린도 | ISO 2등급 | ||
| 전원/압공/진공 | DC24V / 0.5Mpa / 30L / min 53kPa 이상 | ||
| 질량 | 7kg | ||
| 위치결정정밀도 | Centering 위치 정밀도 ±0.2mm 이내 | ||
|---|---|---|---|
| Notch 위치 정밀도 ±0.1° 이내 | |||
| 위치결정시간 | 5초 이내 | ||
| 반송대상 | Ф300mm silicon wafer 대응 | ||
| 클린도 | ISO 2등급 | ||
| 전원/압공/진공 | DC24V / 0.5Mpa / 30L / min 53kPa 이상 | ||
| 질량 | 7kg | ||